CSD87333Q3DT

功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON

制造商:texas instruments

系列:NexFET??

包装:剪切带(CT)

零件状态:有效

FET 类型:2 N 沟道(双)非对称型

FET 功能:逻辑电平栅极,5V 驱动

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14.3 毫欧 @ 4A,8V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):662pF @ 15V

功率 - 最大值:6W

工作温度:125°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-PowerTDFN

供应商器件封装:8-VSON(3.3x3.3)

标准包装:1

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